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IXTH200N075T
IXTQ200N075T
65
Fig. 13. Resistiv e Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
R G = 5 Ω
65
55
50
45
V GS = 10V
V DS = 38V
60
55
50
45
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 38V
T J = 25oC
40
40
35
I D = 50A
35
30
30
T J = 125oC
25
20
I D = 25A
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
130
60
58
95
120
t r
t d(on) - - - -
57
57
90
110
100
90
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
54
51
48
56
55
54
I D = 25A
85
80
75
80
45
70
42
53
I D = 50A
70
60
I D = 50A
39
52
65
50
40
30
20
I D = 25A
36
33
30
27
51
50
49
48
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 38V
60
55
50
45
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
58
57
95
90
170
t f
t d(off) - - - -
300
56
55
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
T J = 125oC
85
80
150
130
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 25A
260
220
54
V DS = 38V
75
53
52
70
65
110
180
51
60
90
I D = 50A
140
50
T J = 25oC
55
70
100
49
50
48
45
50
60
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_200N075T (5V) 6-20-06.xls
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